半导体制造方法以及功率器件制造方法

摘要

本发明提供了半导体制造方法以及功率器件制造方法。半导体包括端口区域和单元区域。半导体制造方法包括：沟槽形成步骤，其中首先在硅片表面形成第一掩膜，并形成第一掩膜的图案，此后利用形成图案的第一掩膜在衬底中形成形成沟槽，然后去除第一掩膜；有源区注入步骤，其中首先在硅片上的端口区域一侧布置第二掩膜，随后利用第二掩膜在单元区域进行有源区注入以便在硅片表面形成注入区，然后去除第二掩膜；孔形成步骤，其中首先在硅片表面形成第三掩膜，并形成第三掩膜的图案，此后利用形成图案的第三掩膜执行刻蚀，从而形成孔部分；以及阱区注入步骤，其中不使用掩膜而是进行覆盖注入以无差别地对晶圆芯片的整个表面进行注入，从而形成阱区。

主权项

一种半导体制造方法，所述半导体包括端口区域和单元区域，其特征在于所述半导体制造方法包括：沟槽形成步骤，其中，首先在硅片表面形成第一掩膜，并且形成第一掩膜的图案，此后利用形成图案的第一掩膜在衬底中形成形成沟槽，然后去除第一掩膜；有源区注入步骤，其中，首先在硅片上的端口区域一侧布置第二掩膜，随后利用第二掩膜在单元区域进行有源区注入以便在硅片表面形成注入区，然后去除第二掩膜；孔形成步骤，其中，首先在硅片表面形成第三掩膜，并且形成第三掩膜的图案，此后利用形成图案的第三掩膜执行刻蚀，从而形成孔部分；以及阱区注入步骤，其中不使用掩膜而是进行覆盖注入，以无差别地对晶圆芯片的整个表面进行注入，从而形成阱区。