部分脱玻的坩锅

摘要

一种用于在单晶体晶锭生长期间保持半导体材料的玻璃质坩锅具有侧壁。该侧壁部分覆盖有脱玻促进剂，且该侧壁部分基本没有脱玻促进剂涂层。当坩锅在晶锭生长期间被加热时，脱玻促进剂导致侧壁的一些部分结晶化，从而形成刚度提高侧壁部。基本没有脱玻促进剂的区域保持玻璃质并受热软化。这些区域成为应力调节侧壁部。应力调节侧壁部内的玻璃质材料的流动释放了否则将累积在侧壁内的应力。

主权项

一种用于保持熔化的半导体材料的坩锅，该坩锅包括：具有开口顶部、底部和从该底部向上延伸的侧壁的玻璃质硅石制成的体部，该底部和侧壁限定用于保持坩锅中的熔化半导体材料的液面下方的半导体材料的凹腔，该侧壁具有内表面和外表面，该侧壁还包括一个刚度提高侧壁部和一个应力调节侧壁部，所述刚度提高侧壁部的至少一部分比应力调节侧壁部的至少一部分更靠近该体部的开口顶部，所述刚度提高侧壁部至少部分地脱玻，所述应力调节侧壁部基本没有脱玻，从而所述应力调节侧壁部调节侧壁中的应力，其中，该侧壁的所述内表面和外表面中的至少一个包括所述刚度提高侧壁部和所述应力调节侧壁部两者的至少一部分；并且坩锅的体部在与要保持在坩锅内的熔化半导体材料的最大液面一致的平面以下基本没有刚度提高侧壁部。