| 发明名称 | 一种半导体硒膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体硒膜的制备方法，包括以下步骤：步骤一，电解液的配制：将含硒化合物溶于酸溶液或碱溶液，即得电解液；步骤二，半导体硒膜的制备：以衬底作为工作电极，在所述电解液中进行电化学沉积反应，沉积电位为-0.2～-2.0V，即得半导体硒膜。本发明提供的半导体硒膜的制备方法工艺简单、成本低、适合工业化生产。该方法制备以多种材料半导体硒膜为衬底，制备得到的半导体硒膜使用方便。 | ||
| 申请公布号 | CN102703946A | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201210209755.3 | 申请日期 | 2012.06.21 |
| 申请人 | 河海大学 | 发明人 | 巩江峰;张开骁;张博;朱卫华 |
| 分类号 | C25D9/04(2006.01)I;H01L21/08(2006.01)I | 主分类号 | C25D9/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人 | 柏尚春 |
| 主权项 | 一种半导体硒膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）电解液的配制：将含硒化合物溶于酸溶液或碱溶液，即得电解液；（2）半导体硒膜的制备：以衬底作为工作电极，在所述电解液中进行电化学沉积反应，沉积电位为‑0.2~‑2.0V，即得半导体硒膜。 | ||
| 地址 | 211100 江苏省南京市江宁区佛城西路8号 | ||