发明名称 |
一种开关电源的欠压保护电路 |
摘要 |
一种开关电源的欠压保护电路,其特征是,包括自启动偏置电流源、采样电路、比较器、放大器、整形电路及反馈电路,自启动偏置电流源的输出连接采样电路的输入端,采样电路的输出端连接比较器的输入端,比较器的输出端连接放大器的输入端,放大器的输出端连接整形电路的输入端,整形电路的输出中,一路经反馈电路后连接采样电路,另一路连接被保护的开关电源;其中,自启动偏置电流源与采样电路系一个电路模块。 |
申请公布号 |
CN102709883A |
申请公布日期 |
2012.10.03 |
申请号 |
CN201210146666.9 |
申请日期 |
2012.05.11 |
申请人 |
东南大学 |
发明人 |
徐申;杨淼;陆晓霞;孙锋锋;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 |
分类号 |
H02H7/10(2006.01)I;H02H3/24(2006.01)I |
主分类号 |
H02H7/10(2006.01)I |
代理机构 |
南京天翼专利代理有限责任公司 32112 |
代理人 |
汤志武 |
主权项 |
一种开关电源的欠压保护电路,其特征是,包括自启动偏置电流源、采样电路、比较器、放大器、整形电路及反馈电路,自启动偏置电流源的输出连接采样电路的输入端,采样电路的输出端连接比较器的输入端,比较器的输出端连接放大器的输入端,放大器的输出端连接整形电路的输入端,整形电路的输出中,一路经反馈电路后连接采样电路,另一路连接被保护的开关电源,其中,自启动偏置电流源与采样电路系一个电路模块;自启动偏置电流源与采样电路包括三个电阻R1、R2及R3、NMOS管M4及一个PNP三极管,电阻R1、R2及R3依次串联,电阻R1的另一端接电源VDD,电阻R3的另一端连接NMOS管M4的栅极和漏极,NMOS管M4的源极连接PNP三极管的发射极,PNP三极管的集电极和基极接地;比较器包括两个PMOS管M5及M6、三个NMOS管M7、M8及M9,NMOS管M7的栅极连接自启动偏置电流源与采样电路中电阻R2与R3的串接点,NMOS管M7的源极、NMOS管M8的源极以及NMOS管M9的漏极连接在一起,NMOS管M9的栅极连接自启动偏置电流源与采样电路中NMOS管M4的源极,NMOS管M9的源极接地,NMOS管M8的栅极连接自启动偏置电流源与采样电路中电阻R3与NMOS管M4栅极的串接点,NMOS管M7的漏极及NMOS管M8的的漏极分别连接NMOS管M5及NMOS管M6的漏极,NMOS管M5的栅极、NMOS管M6的栅极以及NMOS管M6的漏极连接在一起,NMOS管M5的源极及NMOS管M6源极均接电源VDD,NMOS管M6的源极与漏极之间连接电容C2;放大器包括PMOS管M1和NMOS管M2,PMOS管M1的源极接电源VDD,PMOS管M1的栅极连接比较器中NMOS管M7的漏极,PMOS管M1的漏极连接NMOS管M2的漏极,NMOS管M2的栅极连接自启动偏置电流源与采样电路中NMOS管M4的源极,NMOS管M2的源极接地,NMOS管M2的源极与漏极之间连接电容C1;整形电路包括三个依次串接的反相器INV1、反相器INV2及反相器INV3,反相器INV1输入端连接放大器中PMOS管M1的漏极,反相器INV2与反相器INV3之间的串接点连接到被保护的开关电源;反馈电路设有一个PMOS管M3,PMOS管M3的栅极连接整形电路中反相器INV3的输出端,PMOS管M3的源极接电源VDD,PMOS管M3的漏极连接自启动偏置电流源与采样电路中电阻R1与R2的串接点。 |
地址 |
210096 江苏省南京市四牌楼2号 |