具有蚀刻停止层的晶体管结构及其制作方法

摘要

本发明公开一种具有蚀刻停止层的晶体管结构及其制作方法。本发明的晶体管结构，至少由基板、结晶半导体层、蚀刻停止结构、欧姆接触层、源极、漏极、栅极绝缘层以与栅极所构成。本发明的制作方法可通过相同的光掩模同时图案化欧姆接触层及结晶半导体层，或通过相同的另一光掩模同时图案化欧姆接触层及电极层。

主权项

一种具有蚀刻停止层的晶体管结构，其特征在于，至少包含：一基板；一结晶半导体层，设置于该基板上，其中该结晶半导体层包括一上表面、一第一侧表面与一第二侧表面；一蚀刻停止结构，设置于该结晶半导体层上，且该蚀刻停止结构包含一第一部分及一第二部分；一欧姆接触层，设置于该结晶半导体层及该蚀刻停止结构上，包含一第一欧姆接触区与一第二欧姆接触区，其中该第一欧姆接触区自该蚀刻停止结构的该第一部分的上方朝向该结晶半导体层延伸且覆盖该结晶半导体层的该上表面的一侧，该第二欧姆接触区自该蚀刻停止结构的该第二部分的上方朝向该结晶半导体层延伸且覆盖该结晶半导体层的该上表面的另一侧；一源极，覆盖该第一欧姆接触区；一漏极，覆盖该第二欧姆接触区；一栅极绝缘层，设置于该源极、该漏极与该结晶半导体层上；以及一栅极，设置于该栅极绝缘层上对应该结晶半导体层；其中，该源极的边缘大体上与该蚀刻停止结构的该第一部分的边缘对齐，且该漏极的边缘大体上与该蚀刻停止结构的该第二部分的边缘对齐。