发明名称 |
采用用于四倍半节距凸起图案化的两次侧壁图案化形成存储器线和结构的设备和方法 |
摘要 |
本发明提供采用用于四倍半节距凸起图案化的两次侧壁图案化来制造存储器线和结构的设备、方法和系统。本发明包括:由设置在基板上方的第一模板层形成第一特征;邻近特征形成半节距侧壁间隔体;通过采用半节距侧壁间隔体作为硬掩模,在第二模板层中形成更小的特征;邻近更小的特征形成四分之一节距侧壁间隔体;以及通过采用四分之一节距侧壁间隔体作为硬掩模,由导体层形成导体特征。多个附加的方面被公开。 |
申请公布号 |
CN102714142A |
申请公布日期 |
2012.10.03 |
申请号 |
CN201080059446.1 |
申请日期 |
2010.10.26 |
申请人 |
桑迪士克3D有限责任公司 |
发明人 |
R.E.舒尔莱因;田中世一郎 |
分类号 |
H01L21/033(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/033(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
黄小临 |
主权项 |
一种形成存储器的布线图案的方法,包括:由设置在基板上方的第一模板层形成第一特征;邻近所述第一特征形成第一侧壁间隔体;通过采用所述第一侧壁间隔体作为硬掩模,在第二模板层中形成第二特征;邻近所述第二特征形成第二侧壁间隔体;以及通过采用所述第二间隔体作为硬掩模,由导体层形成导体特征。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |