| 主权项 |
一种具MOS-BJT-NDR电路之除频器，包含有：一除频电路，包含有一输入端串联一电感，该电感并联一电容，该电容并联一MOS-BJT-NDR电路；一输出电路，该输出电路系串联该除频电路，并包含有一输出端串联一输出负载电容。如申请专利范围第1项所述之具MOS-BJT-NDR电路之除频器，所述MOS-BJT-NDR电路包含有一第一电源、一第二电源、一接地端、一第一NMOS、一第二NMOS、一第三NMOS、一第四NMOS及一BJT元件，其中该第一NMOS之闸极与汲极电性连接该第一电源之正极，该第一NMOS之源极与该第二NMOS之汲极电性连接，该第二NMOS之源极与该第一电源之负极电性连接，该第二NMOS之闸极电性连接该第二电源，该第三NMOS之闸极与汲极电性连接该第二电源，该第四NMOS之闸极与汲极与该第三NMOS电性连接，该第四NMOS之源极电性连接该接地端，该BJT元件之基极电性连接该第一NMOS之源极与该第二NMOS之汲极，该BJT元件之集极电性连接该第二电源，该BJT元件之射极电性连接该接地端。如申请专利范围第1项所述之具MOS-BJT-NDR电路之除频器，所述除频电路串联一缓冲器，该缓冲器串联该输出负载电容。如申请专利范围第3项所述之具MOS-BJT-NDR电路之除频器，所述缓冲器包含有一固定电压源、一接地端、一第五NMOS、一第六NMOS、一第七NMOS及一第八NMOS，其中该第五NMOS与第七NMOS之闸极与汲极电性连接该固定电压源，该第六NMOS与第八NMOS之源极分别电性连接该接地端，该第五NMOS之源极电性连接该第七NMOS之汲极与该第八NMOS之闸极，而该第六NMOS之源极与该第八NMOS之汲极电性连接。 |
