发明名称 |
用于GaN基LED的ITO纳米碗阵列的粗化方法 |
摘要 |
一种用于GaN基LED的ITO纳米碗阵列的粗化方法,包括如下步骤:1)在LED的电流扩展层的表面排列一单层紧密排列的自组装聚苯乙烯球;2)在自组装聚苯乙烯球的间隙填充二氧化硅凝胶;3)加热,将聚苯乙烯球气化,形成二氧化硅纳米碗阵列,该二氧化硅纳米碗阵列覆盖于电流扩展层的表面;4)采用ICP干法刻蚀,把纳米碗阵列转移到电流扩展层上;5)在BOE或HF溶液中处理,将电流扩展层表面残留的二氧化硅凝胶去除干净,形成电流扩展层的纳米碗阵列。本发明可以提高发光二极管出光效率,得到较佳的发光强度。 |
申请公布号 |
CN102694088A |
申请公布日期 |
2012.09.26 |
申请号 |
CN201210184727.0 |
申请日期 |
2012.06.06 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
吴奎;魏同波;闫建昌;刘喆;王军喜;张逸韵;李璟;李晋闽 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;B81C1/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
汤保平 |
主权项 |
一种用于GaN基LED的ITO纳米碗阵列的粗化方法,包括如下步骤:1)在LED的电流扩展层的表面排列一单层紧密排列的自组装聚苯乙烯球;2)在自组装聚苯乙烯球的间隙填充二氧化硅凝胶;3)加热,将聚苯乙烯球气化,形成二氧化硅纳米碗阵列,该二氧化硅纳米碗阵列覆盖于电流扩展层的表面;4)采用ICP干法刻蚀,把纳米碗阵列转移到电流扩展层上;5)在BOE或HF溶液中处理,将电流扩展层表面残留的二氧化硅凝胶去除干净,形成电流扩展层的纳米碗阵列。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |