| 发明名称 | 沉积低介电常数绝缘材料层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种沉积低介电常数绝缘材料层的方法，应用于半导体器件的层间介质层的沉积工序中，包括以下步骤：向沉积反应腔内通入初始氧气；向沉积反应腔内通入初始八甲基环化四硅氧烷(OMCTS)；开启功率电源，进行黑金刚石(BD)层的沉积，降低所述OMCTS的流量，逐步提高OMCTS的流量，达到初始通入的OMCTS流量。采用该方法能够使沉积的BD材料层具有较好的厚度均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN101996878B | 申请公布日期 | 2012.09.26 |
| 申请号 | CN200910056251.0 | 申请日期 | 2009.08.11 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 周鸣 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种沉积低介电常数绝缘材料层的方法，应用于半导体器件的层间介质层的沉积工序中，包括以下步骤：向沉积反应腔内通入初始氧气；向沉积反应腔内通入初始OMCTS；开启功率电源，进行黑金刚石BD层的沉积，降低所述OMCTS的流量，逐步提高OMCTS的流量，达到初始通入的OMCTS流量。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||