| 发明名称 | 削弱侧壁再沉积的方法、刻蚀方法及半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种削弱侧壁再沉积的方法、刻蚀方法及半导体器件制造方法。根据本发明的削弱侧壁再沉积的方法包括：在衬底上布置栅极氧化物层；在所述氧化物层上布置多晶硅层；在所述多晶硅层上布置第一金属层；在所述第一金属层上布置金属氮化物层；在所述金属氮化物层上布置第二金属层；在所述第二金属层上布置氮化硅层；在所述氮化硅层上布置光刻胶层；形成所述光刻胶层、所述氮化硅层以及所述第二金属层的上半部的包含侧壁的图案；执行钨穿透步骤，其中从自下而上地喷射可与第二金属层的金属发生反应的反应气体，以清除所述侧壁上的基于第二金属层的金属的聚合物；以及在钨穿透步骤之后执行所述光刻胶层的剥离。 | ||
| 申请公布号 | CN102693906A | 申请公布日期 | 2012.09.26 |
| 申请号 | CN201210191450.4 | 申请日期 | 2012.06.11 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 熊磊;奚裴 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种削弱侧壁再沉积的方法，其特征在于包括：在衬底上布置栅极氧化物层；在所述氧化物层上布置多晶硅层；在所述多晶硅层上布置第一金属层；在所述第一金属层上布置金属氮化物层；在所述金属氮化物层上布置第二金属层；在所述第二金属层上布置氮化硅层；在所述氮化硅层上布置光刻胶层；形成所述光刻胶层、所述氮化硅层以及所述第二金属层的上半部的包含侧壁的图案；执行钨穿透步骤，其中从自下而上地喷射可与第二金属层的金属发生反应的反应气体，以清除所述侧壁上的基于第二金属层的金属的聚合物；以及在钨穿透步骤之后执行所述光刻胶层的剥离。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||