| 发明名称 | 氮化物半导体发光装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体发光装置，其具有：含有硅的基板(101)；形成在基板(101)的主面上且具有至少一个开口部(102a)的含有氧化硅的掩膜(102)；在基板(101)的开口部(102a)上选择性形成的含有GaN的种层(104)；形成在种层(104)的侧面的LEG层(105)；形成在LEG层(105)上且包含活性层(107)的n型GaN层(106)及p型GaN层(108)。这里，LEG层(105)通过使用了有机氮原料作为氮源的结晶生长而形成。 | ||
| 申请公布号 | CN101926013B | 申请公布日期 | 2012.09.26 |
| 申请号 | CN200980103286.3 | 申请日期 | 2009.02.02 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 泷泽俊幸;上田哲三;薄田学 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 一种氮化物半导体发光装置，其具备：基板；形成在所述基板的主面上且具有至少一个开口部的掩膜；选择性形成在所述基板的所述开口部上的第一氮化物半导体层；从所述第一氮化物半导体层的侧面结晶生长且从与所述基板的主面平行的面不结晶生长地形成的第二氮化物半导体层；形成在所述第二氮化物半导体层上且包含发光层的第三氮化物半导体层，所述第二氮化物半导体层使用有机氮原料作为氮源，所述第三氮化物半导体层也形成在所述第一氮化物半导体层上，来自所述发光层中所述第二氮化物半导体层的上侧部分的发光波长比来自所述发光层中所述第一氮化物半导体层的上侧部分的发光波长长。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||