互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法

摘要

本发明提供一种制造互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的方法，其包括：一种制造互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的方法，所述方法包括：在衬底上形成栅极结构；使用第一掩模在紧邻于所述栅极结构的衬底上实施第一离子注入过程以形成光电二极管；在所述光电二极管上形成第一图案化阻挡层；在所述栅极结构的侧壁上和第一图案化阻挡层的侧壁上形成隔离物；以及使用作为第二掩模的掩模图案和所述隔离物实施第二离子注入过程。

主权项

一种制造互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的方法，所述方法包括：在衬底上形成栅极结构；使用第一掩模在紧邻于所述栅极结构的衬底上实施第一离子注入过程以形成光电二极管；在所述光电二极管上形成第一图案化阻挡层，其中所述第一图案化阻挡层能够使所述光电二极管免受等离子体损坏及光刻胶的重金属污染；在所述栅极结构的侧壁上和第一图案化阻挡层的侧壁上形成隔离物；以及使用作为第二掩模的掩模图案和所述隔离物实施第二离子注入过程，且所述第二离子注入过程是源极/漏极离子注入过程。