干法刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种适用于通孔或沟槽制备的干法刻蚀方法，包括：进行第一次多步淀积刻蚀交替循环干法刻蚀工艺，在硅衬底内刻蚀出第一沟槽；接着采用第一次淀积聚合物工艺，在第一沟槽内壁淀积聚合物；而后对聚合物进行干法刻蚀，直至去除第一沟槽底部的聚合物；进行第二次多步淀积刻蚀交替循环干法刻蚀工艺，在第一沟槽内进一步刻蚀硅衬底形成通孔或沟槽。采用本发明的方法，制备出开口逐渐变小的阶梯式沟槽形貌，提高后续金属填充沟槽的能力。

主权项

一种干法刻蚀方法，适用于通孔或沟槽的制备，其特征在于，包括：步骤一，进行第一次多步淀积刻蚀交替循环干法刻蚀工艺，在所述硅衬底内刻蚀出第一沟槽；步骤二，接着采用第一次淀积聚合物工艺，在所述第一沟槽内壁上淀积聚合物；步骤三，而后进行第一次干法刻蚀聚合物，去除所述第一沟槽底部的聚合物；步骤四，进行第二次多步淀积刻蚀交替循环干法刻蚀工艺，在所述第一沟槽内进一步刻蚀所述硅衬底形成阶梯状通孔或沟槽。