一种相变随机存储器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种相变随机存储器及其制造方法，所述方法包括下列步骤：提供相变随机存储器前端器件，其包括底部电极以及位于底部电极之上与其接触的相变材料层；在所述前端器件上形成顶部电极，包括下列步骤：在所述前端器件上沉积第一金属层；在所述第一金属层上沉积金属氧化物层；在所述金属氧化物层上沉积第二金属层。根据本发明的制造相变随机存储器的方法，能够有效地减小相变随机存储器顶部电极的导热性，减少相变随机存储器的热损失，降低相变材料的复位电流，从而提高制造相变随机存储器器件的良品率，并且同时具有简单的制造流程和较低的成本。

主权项

一种相变随机存储器的制造方法，包括下列步骤：提供相变随机存储器前端器件，其包括底部电极以及位于底部电极之上与其接触的相变材料层；在所述前端器件上形成顶部电极，包括下列步骤：在所述前端器件上沉积第一金属层；在所述第一金属层上沉积金属氧化物层；在所述金属氧化物层上沉积第二金属层。