| 发明名称 | 非晶氧化物和场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 一种非晶氧化物至少包含：选自由In、Zn和Sn构成的组的至少一种元素；和Mo。该非晶氧化物中的Mo对比所有金属原子的数量的原子组成比大于等于0.1原子％且小于等于5原子％。 | ||
| 申请公布号 | CN101911304B | 申请公布日期 | 2012.09.26 |
| 申请号 | CN200880123969.0 | 申请日期 | 2008.12.25 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 板垣奈穗;A·戈雅尔;岩崎达哉 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 康建忠 |
| 主权项 | 一种场效应晶体管，所述场效应晶体管至少包括：漏极电极；源极电极；栅极电极；活性层；和栅极绝缘膜，其中，所述活性层包含非晶氧化物，所述非晶氧化物至少包含：选自由In、Zn和Sn构成的组中的至少一种元素；和Mo，其中，所述非晶氧化物中的Mo对比所有金属原子的数量的原子组成比大于等于0.1原子％且小于等于5原子％。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||