表面发光半导体激光元件

摘要

一种表面发光半导体激光元件，包括衬底、配置在衬底上的包括半导体多层的下反射体、配置在下反射体上的有源层、配置在有源层上的包括半导体多层的上反射体、具有暴露上反射体的第一开口并且在上反射体上延伸的化合物半导体层，以及配置在第一开口的内部的具有暴露上反射体的第二开口并且在化合物半导体层上延伸的金属膜，其中金属膜与化合物半导体层构成其复数折射率自第二开口的中心向外变化的复数折射率分布结构。还提供一种制造以单峰横向模式发射激光的方法。

主权项

一种制造表面发光半导体激光元件的方法，包括步骤：在衬底上顺序地层叠包括半导体多层的下反射体、下覆盖层、有源层、上覆盖层、具有至少高Al含量层的包括半导体多层的上反射体，和接触层，其中在所述上反射体中，所述高Al含量层布置得最靠近所述有源层，蚀刻所述接触层、所述下覆盖层、所述上反射体、所述有源层、所述上覆盖层、和所述下反射体以形成台面柱，在形成台面柱的步骤之后，在蒸汽下氧化台面柱的具有高Al含量的层以保留具有高Al含量的层的中心区作为第一电流注入区，该第一电流注入区包括未氧化的高Al含量的层，围绕电流注入区形成包括氧化的铝层的电流限制区，在所述台面柱的接触层上和所述台面柱的侧面形成绝缘膜，在所述接触层上的所述绝缘膜上形成开口以暴露所述接触层，在接触层上形成比所述绝缘膜的开口小的开口以暴露所述上反射体，在所述上反射体和接触层上形成构成电极的金属膜，和在所述金属膜上形成比所述接触膜上的开口小的开口以暴露所述上反射体。