发明名称 |
发光二极管封装和制造方法 |
摘要 |
公开了发光二极管(LED)器件和发光二极管器件的封装。在一些方面,使用包括多个层的垂直构造来制造LED。某些层用于提升器件的机械特性、电特性、热特性或光学特性。所述器件避免了一些设计问题,包括传统LED器件中存在的制造复杂、成本和散热问题。一些实施方案包括多个光学许可层,包括堆叠在半导体LED上方并且使用一个或更多个对准标记定位的光学许可覆盖衬底或晶片。 |
申请公布号 |
CN102683538A |
申请公布日期 |
2012.09.19 |
申请号 |
CN201210057427.6 |
申请日期 |
2012.03.06 |
申请人 |
维亚甘有限公司 |
发明人 |
M·马格利特 |
分类号 |
H01L33/44(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/44(2010.01)I |
代理机构 |
北京嘉和天工知识产权代理事务所 11269 |
代理人 |
严慎 |
主权项 |
一种发光器件,所述发光器件包括:半导体LED,所述半导体LED包括掺杂区和本征区,所述半导体LED的第一表面用在所述第一表面的至少一部分上方的导电金属化层来金属化;光学许可层,所述光学许可层靠近所述半导体LED的第二表面,所述半导体LED的所述第一表面和所述第二表面位于所述半导体LED的相对的面上;光学可限定材料,所述光学可限定材料靠近所述光学许可层或者位于所述光学许可层内,影响穿过所述光学许可层的发射光的光学特性;以及光学许可覆盖衬底,所述光学许可覆盖衬底覆盖以上组件中的至少一部分。 |
地址 |
以色列奇科隆雅科夫 |