发明名称 一种用于半导体气相光电性能高通量测试的芯片及装置
摘要 本发明公开了一种用于半导体气相光电性能高通量测试的芯片及装置,芯片底层为氧化铝陶瓷基片,电极阵列和电极引脚分别通过丝网印刷的方法印制在基片表面和两侧,每个电极上通过喷墨打印或者丝网印刷的方法印有半导体光电材料。装置包括封闭测试腔体和LED光源,底板上带有用于放置芯片的凸台,簧片与芯片电极引脚为压合式接触。芯片上的电极阵列的集成度可以根据不同的需求进行改动,可扩展性强。装置可以方便的改变光源的波长、光照强度、气氛、湿度、偏置电压等各种测试条件,从而获得丰富的测试结果,建立完善的数据库。并且整个装置结构简单小巧,可靠性好。本发明在室温气敏传感,光探测,光催化等领域都具有重要的应用价值。
申请公布号 CN102680399A 申请公布日期 2012.09.19
申请号 CN201010243856.3 申请日期 2010.08.04
申请人 华中科技大学 发明人 谢长生;刘源;陈浩;李华曜;曾大文
分类号 G01N21/00(2006.01)I;G01R19/00(2006.01)I 主分类号 G01N21/00(2006.01)I
代理机构 华中科技大学专利中心 42201 代理人 曹葆青
主权项 一种用于半导体气相光电性能的高通量测试的芯片,其特征在于,芯片(1)的底层为氧化铝陶瓷基片(1‑1),电极阵列(1‑2)通过丝网印刷的方法印制在氧化铝陶瓷基片(1‑1)的表面,电极引脚(1‑3)通过丝网印刷的方法印制在氧化铝陶瓷基片(1‑1)的两侧,在电极阵列(1‑2)的每个电极上通过喷墨打印或者丝网印刷的方法印制有各种待测试的半导体光电材料(1‑4)。
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号