发明名称 |
用于处理绝缘体上半导体结构的工艺 |
摘要 |
本发明涉及一种用于处理绝缘体上半导体结构的工艺,所述工艺包括以下步骤:(i)在薄层(3)的表面上形成掩模(4),以限定所述薄层的被称作被暴露区域的区域(3a)和被所述掩模覆盖的区域(3b);以及(ii)应用热处理,以使得氧化物或氮氧化物层(2)中的至少部分氧扩散穿过被暴露区域(3a)。在步骤(ii)之前或在步骤(ii)期间,在所述被暴露区域(3a)上形成所述薄层(3)的所述半导体的氮化物或氮氧化物层(5),所述层(5)的厚度使得穿过被暴露区域(3a)的氧扩散速率与穿过被所述掩模(4)覆盖的所述区域(3b)的氧扩散速率之比大于2。 |
申请公布号 |
CN102683200A |
申请公布日期 |
2012.09.19 |
申请号 |
CN201210021387.X |
申请日期 |
2012.01.31 |
申请人 |
索泰克公司 |
发明人 |
迪迪埃·朗德吕;G·里奥 |
分类号 |
H01L21/322(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/322(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
李辉;吕俊刚 |
主权项 |
一种用于处理绝缘体上半导体结构的工艺,所述绝缘体上半导体结构连续包括支撑基板(1)、半导体的氧化物或氮氧化物层(2)和所述半导体的薄半导体层(3),所述工艺包括以下步骤:(i)在所述薄层(3)的表面上形成掩模(4),以限定所述薄层的区域(3a)和区域(3b),所述区域(3a)被称作没有被所述掩模覆盖的被暴露区域,并且根据第一图案来分布,所述区域(3b)被所述掩模覆盖并且根据与所述第一图案互补的第二图案来分布;以及(ii)在惰性或还原性气氛中并且在受控的温度和时间条件下,应用热处理,以使得所述氧化物或氮氧化物层(2)中的至少部分氧扩散穿过所述薄半导体层的被暴露区域(3a),从而导致根据所述第一图案布置的所述氧化物或氮氧化物层(2)的区域(2b)中的氧化物或氮氧化物的厚度减小,所述工艺的特征在于,在步骤(ii)之前或在步骤(ii)期间,在所述被暴露区域(3a)上形成所述薄层(3)的所述半导体的氮化物或氮氧化物层(5),所述氮化物或氮氧化物层(5)的厚度使得穿过所述薄层(3)的被暴露区域(3a)的氧扩散速率与穿过被所述掩模(4)覆盖的所述区域(3b)的氧扩散速率之比大于或等于2。 |
地址 |
法国伯尔宁 |