铌酸锂晶体化学机械抛光后的应力控制方法

摘要

本发明涉及铌酸锂(LiNbO3)晶体化学机械抛光(CMP)后，铌酸锂晶体表面的应力控制方法。本发明铌酸锂晶体CMP后应力控制方法，CMP刚刚完成后清洗时，采用逐渐慢慢加大水抛清洗液流量，充分释放铌酸锂晶体表面的热应力，达到铌酸锂晶体内外热应力一致，从而有效地避免了铌酸锂晶体清洗过程中易产生开裂、碎晶的问题发生，完美实现了铌酸锂晶体CMP后的应力控制，大大提高了铌酸锂晶体因开裂、碎晶导致的加工良率。

主权项

一种铌酸锂晶体化学机械抛光后的应力控制方法，其特征在于，按照下述步骤进行：（1）铌酸锂晶体CMP后立即进行水抛清洗，水抛清洗液初始流量设定为CMP过程的抛光液流速200ml/min‑400ml/min，所述水抛液为含有0.5‑3%非离子表面活性剂的去离子水；（2）逐步增大水抛液流速到5000ml/min‑7000ml/min，上述水抛过程持续30秒‑5分钟，然后停止水抛，过程结束。