| 发明名称 | 基于在浅沟槽隔离(STI)边缘局部引入的注入种类的场效应晶体管的漏电流控制 | ||
| 摘要 | 在静态存储器单元中，在利用绝缘材料填充隔离沟槽(203T)之前，透过该隔离沟槽(203T)的侧壁(203S)在主动区(202C)的端部纳入注入种类可显着降低形成连接该主动区(202C)与该隔离区(203)上方的栅极电极结构(210A)的接触组件时的失效率。该注入种类可为P型掺杂种类和/或惰性种类，以显着改变该主动区(202C)的该端部的材料特性。 | ||
| 申请公布号 | CN102687265A | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
| 申请号 | CN201080043865.6 | 申请日期 | 2010.07.28 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | T·卡姆勒;M·维尔特;R·博施克;P·亚沃尔卡 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/8239(2006.01)I;H01L21/8244(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I;H01L27/11(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种方法，包括：在半导体装置的半导体材料(202)中形成隔离沟槽(203T)，该隔离沟槽(203T)具有侧壁(203S)，其连接该半导体装置的存储器单元的第一晶体管的主动区(202C)，该侧壁(203S)沿长度方向界定该主动区(202C)；透过该侧壁(203S)的至少其中部分向该主动区(202C)的部分引入注入种类，该注入种类自该侧壁(203S)向该主动区(202C)内沿该长度方向延伸特定距离；引入该注入种类后，利用绝缘材料填充该隔离沟槽(203T)，以形成隔离结构(203)；在该主动区(202C)之中及其上方形成该第一晶体管；在该隔离结构(203)上方形成该存储器单元的第二晶体管的栅极电极(210A)的部分；形成介电材料(220)以包围该第一晶体管及该第二晶体管；以及在该介电材料(220)中形成接触组件(221B)，该接触组件(221B)连接该主动区(202C)与该第二晶体管的该栅极电极(210A)的该部分。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||