| 发明名称 | 通过覆盖STI区域的高介电常数金属栅极超整合 | ||
| 摘要 | 一种通过覆盖STI区域的高介电常数金属栅极超整合，当在前制造阶段中形成高介电常数金属栅极电极结构时，通过减少隔离区域的表面形态来改善封装完整性与敏感栅极材料的完整性。为了达到这个目的，提供超蚀刻阻性的介电覆盖层结合知的二氧化硅材料。 | ||
| 申请公布号 | CN102683261A | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
| 申请号 | CN201210048312.0 | 申请日期 | 2012.02.27 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司;格罗方德半导体德累斯顿第一模数有限责任及两合公司 | 发明人 | T·斯戈普;P·巴阿斯;S·拜尔 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种方法，包括：在半导体装置的半导体层中，使用第一介电材料形成沟渠隔离区域，所述沟渠隔离区域侧向刻画所述半导体层中的主动区域；在所述第一介电材料上，使用第二介电材料形成覆盖层，所述第一与第二介电材料具有不同的材料组成；以及在所述主动区域与包含所述覆盖层的所述沟渠隔离区域上，形成栅极电极结构。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛 | ||