| 发明名称 |
MÉTHODE DE FORMATION D'UNE STRUCTURE DE GE SUR III/V SUR ISOLANT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2972567(A1) |
申请公布日期 |
2012.09.14 |
| 申请号 |
FR20110051939 |
申请日期 |
2011.03.09 |
| 申请人 |
S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES |
发明人 |
DAVAL NICOLAS;AULNETTE CECILE;NGUYEN BICH-YEN |
| 分类号 |
H01L21/8232;H01L21/762;H01L29/772 |
主分类号 |
H01L21/8232 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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