发明名称 等离子体加工设备的部件和在等离子体加工设备中刻蚀半导体基材的方法
摘要 本发明提供了表面精加工等离子体加工设备部件的方法。所述的部件包括至少一个暴露到等离子体中的表面。所述的方法包括机械抛光、化学刻蚀和清洗暴露到等离子体中的表面,以便获得所希望的表面形态。部件的石英玻璃密封表面也可用所述的方法精加工。可将相同部件暴露到等离子体中的表面和密封表面精加工到彼此不同的表面形态。
申请公布号 CN102659320A 申请公布日期 2012.09.12
申请号 CN201210083136.4 申请日期 2004.05.28
申请人 兰姆研究公司 发明人 M·W·柯赫尔鲍驰;J·E·道格赫缇
分类号 C03C15/00(2006.01)I;B08B3/08(2006.01)I;B24B7/24(2006.01)I;B24B9/08(2006.01)I 主分类号 C03C15/00(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 李帆
主权项 一种从用于等离子体加工装置的部件除去金属污染物的方法,包括:用清洗液清洗部件的表面以从表面除去金属污染物,该清洗液包含选自草酸、甲酸、乙酸、柠檬酸及其混合物中的至少一种酸,其中部件选自气体注入器、介电窗、电极、观察孔、边环、聚焦环和限制环。
地址 美国加利福尼亚