一种具有复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管

摘要

一种具有复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管，属于半导体器件领域。该晶体管包含衬底（108），氮化铝成核层（107），氮化镓沟道层（201），氮化铝插入层（105），铝镓氮势垒层（104）以及势垒层上形成的源极（101）、漏极（102）和栅极（103），其中源极（101）和漏极（102）与铝镓氮势垒层（104）形成欧姆接触，栅极（103）与铝镓氮势垒层（104）形成肖特基接触，其特征是，它还包含一层位于氮化镓沟道层（201）和氮化铝成核层（107）之间的铝铟氮/氮化镓复合缓冲层（202）、或氮化铝/铝铟氮/氮化镓复合缓冲层（401），以抑制电子在缓冲层内的输运，降低器件缓冲层泄漏电流，提升器件击穿电压与输出功率。

主权项

一种具有复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管，包含有衬底（108），氮化铝（AlN）成核层（107），氮化镓（GaN）沟道层（201），氮化铝（AlN）插入层（105），铝镓氮（AlGaN）势垒层（104）以及势垒层上形成的源极（101）、漏极（102）和栅极（103），其中源极（101）和漏极（102）与AlGaN势垒层（104）形成欧姆接触，栅极（103）与AlGaN势垒层（104）形成肖特基接触，其特征是：在位于GaN沟道层（201）和AlN成核层（107）之间有一层铝铟氮/氮化镓（AlInN/GaN）复合缓冲层（202）、或在位于GaN沟道层（201）和AlN成核层（107）之间有一层氮化铝/铝铟氮/氮化镓（AlN/AlInN/GaN）复合缓冲层（401）。