发明名称 |
一种超高压BCD半导体工艺以及超高压BCD器件 |
摘要 |
本发明提供了一种超高压BCD工艺,该超高压BCD工艺可实现多种半导体器件的集成,超高压BCD器件包括:做在N型外延上的高压LDMOS、高压浮动盆结构、低压PMOS管、低压NMOS管、低压VNPN管、VDNMOS、齐纳二极管、低压NLDMOS、LPNP以及对称的漏极延伸EDPMOS,该工艺具有N型埋层,N型埋层贯穿P型衬底以及N型外延,高低压结构之间形成有PN结对通隔离结构。本发明提供的高压BCD工艺集成了多种电压水平的器件,并且其中的高压浮动盆结构,能够为桥式电路的应用提供工艺平台支持。 |
申请公布号 |
CN102664181A |
申请公布日期 |
2012.09.12 |
申请号 |
CN201210150791.7 |
申请日期 |
2012.05.15 |
申请人 |
上海先进半导体制造股份有限公司 |
发明人 |
吕宇强;邵凯;陈雪萌;杨海波 |
分类号 |
H01L27/06(2006.01)I;H01L21/8249(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/06(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种超高压BCD半导体工艺实现的集成器件,其特征在于,器件包括:做在N型外延上的高压LDMOS、高压浮动盆结构、低压PMOS管、低压NMOS管、低压VNPN管、VDNMOS、齐纳二极管、低压NLDMOS、LPNP以及对称的漏极延伸EDPMOS,所述集成器件具有N型埋层,所述N型埋层贯穿P型衬底以及所述N型外延,高低压结构之间形成有PN结对通隔离结构;所述高压浮动盆结构包括多个P‑top环,位于N阱内的高压N+以及N型埋层,所述多个P‑top环和所述高压N+均位于N型外延内,所述高压浮动盆结构以其中心左右对称。 |
地址 |
200233 上海市徐汇区虹漕路385号 |