一种薄膜晶体管阵列基板

摘要

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板。该薄膜晶体管阵列基板至少包括一具有第一表面的基板以及形成于基板的第一表面上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、存储电容、一栅绝缘层，且所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管为不同类型的薄膜晶体管，所述基板包括第一区域、第二区域、第三区域，所述第一薄膜晶体管位于所述第一区域内，所述第二薄膜晶体管位于第二区域内，所述存储电容位于所述第三区域内，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极以及第一沟道区，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极、第二沟道区以及低掺杂的源漏区，所述存储电容包括多晶硅高掺杂区、电极。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板，至少包括一具有第一表面的基板以及形成于所述基板的第一表面上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、存储电容、一栅绝缘层，且所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管为不同类型的薄膜晶体管，所述基板包括第一区域、第二区域、第三区域，所述第一薄膜晶体管位于所述第一区域内，所述第二薄膜晶体管位于第二区域内，所述存储电容位于所述第三区域内，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极以及第一沟道区，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极、第二沟道区以及低掺杂的源漏区，所述存储电容包括电极，所述第一源极和第一漏极由多晶硅层掺杂第一类型的离子制成，所述第二源极和第二漏极由多晶硅层掺杂第二类型的离子制成，所述第一栅极和第二栅极由同一栅导电层在不同光刻工艺中制成，所述第二栅极与存储电容的电极可在同一光刻工艺中一并制成；所述第一栅极与第一源极和第一漏极通过所述栅绝缘层绝缘开，所述第二栅极与第二源极和第二漏极通过所述栅绝缘层绝缘开；所述第一沟道区和第二沟道区均由未掺杂或轻掺杂的多晶硅层构成，所述第一沟道区位于所述第一源极和第一漏极之间、所述第一栅极之下，所述第二沟道区位于所述第二源极和第二漏极之间、所述第二栅极之下；所述低掺杂源漏区位于所述第二源极与所述第二沟道区之间以及所述第二漏极与第二沟道区之间。