发明名称 尺寸可控半导体纳米簇和纳米晶的绿色合成方法
摘要 本发明提供了尺寸可控的硒化镉纳米簇和纳米晶的绿色合成方法。该方法采用一系列低毒/经济的配体,使用分散在非配位溶剂中的硒单质和氧化镉为前体,在非配位溶剂中合成了硒化镉纳米簇和纳米晶。通过调节配体与前体的比例,尺寸可调节范围为0.7nm-13nm。所得到的纳米晶参数有高的结晶度,窄的尺寸分布fwhm=25±2nm,相对高的荧光量子效率为5%-38%,荧光发射光谱调节范围为450nm-690nm。
申请公布号 CN101457403B 申请公布日期 2012.09.05
申请号 CN200810051635.9 申请日期 2008.12.22
申请人 中国科学院长春应用化学研究所 发明人 杨秀荣;孙明
分类号 C30B29/48(2006.01)I;C01B19/04(2006.01)I;C01G11/00(2006.01)I 主分类号 C30B29/48(2006.01)I
代理机构 长春菁华专利商标代理事务所 22210 代理人 南小平
主权项 尺寸可控的硒化镉纳米晶的绿色合成方法,其特征在于,合成1.9nm‑3nm硒化镉纳米晶的步骤为:0.1mmol油酸镉,0.2mmol油酸,3ml十八碳烯烃,1mmol十二烷基胺,放入充满氮气反应器中,温度升高到260℃,将2ml分散在十八碳烯烃中的0.15mmol硒前体注射到搅拌的上述反应液中,反应混合物的温度相比于注射时下调10℃,让纳米晶进行生长,在20分钟内便可得到1.9nm‑3nm的硒化镉纳米晶。
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