| 发明名称 | 磁电阻器件 | ||
| 摘要 | 一种操作磁电阻器件的方法，一种设备以及一种磁电阻器件。所述器件包括：铁磁区，被配置为表现磁各向异性以及使得其磁化能够在至少第一和第二方向之间进行转变，以及电容性连接到该铁磁区的栅。所述方法包括向铁磁区施加电场脉冲，从而使得磁各向异性的方向发生变化，以便在第一和第二方向之间转变磁化。 | ||
| 申请公布号 | CN101345079B | 申请公布日期 | 2012.09.05 |
| 申请号 | CN200810128787.4 | 申请日期 | 2008.03.19 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所;巴黎第十一大学;国家科研中心 | 发明人 | J·旺德利奇;C·查普特;T·琼格沃斯;J·泽门;B·加拉格尔;T·德沃尔德 |
| 分类号 | G11C11/16(2006.01)I;H01F13/00(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)N;H01L43/08(2006.01)N | 主分类号 | G11C11/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 1.一种操作磁电阻器件的方法，该器件包括：铁磁区，被配置为表现磁各向异性以及使得其磁化能够在至少第一和第二方向之间进行转变；以及栅，其中所述栅 仅通过对所述铁磁区的电容性耦合引起磁各向异性的方向的变化，该方法包括：使用所述栅向所述铁磁区施加电场脉冲，从而改变所述铁磁区中的电荷载流子分布并且由此引起磁各向异性的方向发生变化，以便在第一和第二方向之间转变磁化，其中电场脉冲持续时间为t，该持续时间是t<sub>precess</sub>的四分之一的倍数，t<sub>precess</sub>为：<img file="DEST_PATH_FSB00000791209800011.GIF" wi="504" he="124" />其中γ是回转磁常数，<img file="DEST_PATH_FSB00000791209800012.GIF" wi="592" he="68" />且B<sub>A</sub>是铁磁半导体的磁各向异性场，从而电场脉冲触发第一和第二方向之间的磁化的进动转变。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||