| 摘要 |
本发明系提供一种藉由一温控夹具(1)测试半导体晶圆(5)的方法，其包含有下列步骤：调控夹具(1)温度到一预定的量测温度，藉由一具预定加热功率(PW)与有预定冷却能力(PK)冷却装置(11a,11b,11c)的加热装置(HE)，该加热功率(PW)为实质大于一预定测试功率(PT)；放置半导体晶圆(5)的背面(R)在温控夹具(1)的一支撑端(AF)上；放置一探针卡(7’,7’a)在半导体晶圆(5)正面(O)上；测试该半导体晶圆(5)，藉由探针卡(7’,7’a)探针(91,92)的定位，藉此输送测试功率(PT)自一测试装置(TV)进入半导体晶圆(5)正面(O)的晶片区(CH)；与减少加热功率(PW)，在测试期间让加热功率的减少测试功率的量，该减少以一实质上稳定的冷却效率来实行。 |
