发明名称 |
场发射阴极装置及其制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种场发射阴极装置,包括:一基底;一金属板,所述金属板具有一第一表面、一与第一表面相对的第二表面及贯穿该第一表面和第二表面的至少一通孔,所述金属板的第一表面与所述基底贴合设置;至少一线状电子发射体,其与所述金属板电连接;以及一填充物,所述填充物填充于所述至少一通孔中;其中,每个通孔内至少设置有一所述线状电子发射体,位于通孔内的所述线状电子发射体的一端设置于所述金属板的第一表面与所述基底之间。所述场发射装具有更强的电子发射能力和更长的使用寿命。本发明进一步提供一种场发射阴极装置的制备方法。 |
申请公布号 |
CN102064063B |
申请公布日期 |
2012.08.29 |
申请号 |
CN201010604389.2 |
申请日期 |
2010.12.24 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
柳鹏;郝海燕;范守善 |
分类号 |
H01J1/304(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01J1/304(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种场发射阴极装置,包括:一基底;一金属板,所述金属板具有一第一表面、一与第一表面相对的第二表面及贯穿该第一表面和第二表面的至少一通孔,所述金属板的第一表面与所述基底贴合设置;至少一线状电子发射体,其与所述金属板电连接;以及一填充物,所述填充物填充于所述至少一通孔中;其特征在于,每个通孔内至少设置有一所述线状电子发射体,位于通孔内的所述线状电子发射体的一端固定于所述金属板的第一表面与所述基底之间。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |