功率金属氧化物半导体场效应晶体管触点金属化

摘要

本发明涉及一种结构，优选地包括形成在基板中的半导体器件；邻接于半导体器件的绝缘体；电耦合于半导体器件的电触点，其中，电触点优选地包括钨；以及，耦合于电触点的电连接器，其中，电连接器优选地包括铝。绝缘体的表面和电触点的表面优选地形成基本平坦的表面。

主权项

一种制造包括半导体器件的结构的方法，所述方法包括：在包括第一绝缘体和邻接于所述第一绝缘体的接触区的不平坦的表面上沉积第一阻挡层，其中所述第一阻挡层沉积在所述第一绝缘体的所有暴露表面上，所述第一阻挡层还沉积在所述第一绝缘体与第二绝缘体之间的基板的暴露表面上；在所述第一阻挡层上沉积第一金属化层；蚀刻所述第一金属化层，以在所述接触区中形成电触点，其中，所述第一阻挡层的表面和所述电触点的表面形成基本平齐的表面，并且其中，所述第一阻挡层位于所述电触点与所述基板之间，其中所述半导体器件位于所述基板中靠近所述第一绝缘体并在所述第一绝缘体下方，其中所述半导体器件物理上与所述电触点隔离，但电耦合到所述电触点；以及在所述蚀刻步骤之后，在所述基本平齐的表面上沉积第二阻挡层，其中所述第一阻挡层位于所述第一绝缘体和第二绝缘体和所述第二阻挡层之间。