主权项 |
一种高光效、低光衰以及高封装良率LED芯片,其层结构依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、N型层(3)、N型分别限制层(4)、发光区层(5)、P型分别限制层(6)、P型层(7)、P型欧姆接触层(8)、光穿透层(9)、二氧化硅层(10)、金属层(11),其特征在于:该芯片蚀刻成梯台结构并形成环状N型电极和P型电极,P型电极被环状N型电极包围,N型电极主要包括N型电极光穿透层ITO薄膜(191)和N型电极金属合金层(23),其中N型电极光穿透层ITO薄膜(191)为阶梯结构,阶梯结构下部与芯片两侧的N型层(3)暴露区连接;阶梯结构上部与N型电极金属合金层(23)、金属层(11)以及绝缘介质膜(16)连接,其中N型电极金属合金层(23)位于阶梯结构上部的上方,金属层(11)和绝缘介质膜(16)位于阶梯结构上部的下方;P型电极主要包括P型电极金属合金层(24)和P型电极光穿透层ITO薄膜(192),P型电极光穿透层ITO薄膜(192)上方与P型电极金属合金层(24)连接,P型电极光穿透层ITO薄膜(192)四周向下延伸至光穿透层(9)并且将金属层(11)和二氧化硅层(10)限制于其中;N型电极金属合金层(23)与P型电极金属合金层(24)位于同一水平面。 |