发明名称 半导体装置、传感器以及电子设备
摘要 本发明提供半导体装置、传感器以及电子设备,该传感器具有该半导体装置。在形成有突起电极的第二基板上层叠形成有贯通电极的第一基板,在贯通电极中具有凹部,突起电极进入并层叠在凹部,突起电极的顶端宽度比凹部的开口宽度小。
申请公布号 CN102651357A 申请公布日期 2012.08.29
申请号 CN201210034217.5 申请日期 2012.02.15
申请人 精工爱普生株式会社 发明人 今井英生
分类号 H01L23/48(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I 主分类号 H01L23/48(2006.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 余刚;吴孟秋
主权项 一种半导体装置,其特征在于,具备:第一基板,所述第一基板具有形成在第一面上的第一电极以及形成在从所述第一面的反面、即第二面到达所述第一电极的孔中的贯通电极;以及第二基板,所述第二基板具有连接于所述贯通电极的突起电极;所述贯通电极在所述第二面侧具有凹部,所述凹部的底部位于所述第一基板的所述第一面和所述第二面之间,所述突起电极进入所述凹部,所述凹部的开口宽度a和所述突起电极的顶端宽度b形成a>b的关系。
地址 日本东京
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