| 发明名称 | 接触孔形成方法 | ||
| 摘要 | 一种接触孔形成方法，包括：在基底上顺序形成刻蚀停止层、介质层及图形化的抗蚀剂层；以所述图形化的抗蚀剂层为掩膜，获得图形化的所述介质层；去除所述图形化的抗蚀剂层，执行所述去除操作时，反应腔室的压力小于20mT，或者，采用包含氧气的反应气体去除所述图形化的抗蚀剂层，所述氧气的流量范围为400sccm-800sccm；以图形化的所述介质层为掩膜，获得图形化的所述刻蚀停止层，以暴露所述基底；其中，获得图形化的所述介质层、去除所述图形化的抗蚀剂层和获得图形化的所述刻蚀停止层的步骤在同一所述反应腔室内进行，且各步骤之间均不执行清洗操作。可减少移转基底的次数，继而，降低废品的产生几率。 | ||
| 申请公布号 | CN101770975B | 申请公布日期 | 2012.08.22 |
| 申请号 | CN200810205386.4 | 申请日期 | 2008.12.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 赵林林 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种接触孔形成方法，其特征在于，包括：在基底上顺序形成刻蚀停止层、介质层及图形化的抗蚀剂层；以所述图形化的抗蚀剂层为掩膜，获得图形化的所述介质层；去除所述图形化的抗蚀剂层，执行所述去除操作时，反应腔室的压力小于20mT；以图形化的所述介质层为掩膜，获得图形化的所述刻蚀停止层，以暴露所述基底；其中，获得图形化的所述介质层、去除所述图形化的抗蚀剂层和获得图形化的所述刻蚀停止层的步骤在同一所述反应腔室内进行，且各步骤之间均不执行清洗操作。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||