Herstellungsverfahren mit reduzierter STI-Topograpie für Halbleiterbauelemente mit einer Kanalhalbleiterlegierung

摘要

Verfahren mit: Bilden einer schützenden Materialschicht selektiv über einem Isolationsgebiet, das ein erstes aktives Gebiet lateral von einem zweiten aktiven Gebiet trennt, die in einer Halbleiterschicht eines Halbleiterbauelements ausgebildet sind, wobei das erste und das zweite aktive Gebiet von mindestens einer Maskenschicht bedeckt sind; Bilden einer Ätzmaske über dem ersten aktiven Gebiet und einem Teil des Isolationsgebiets derart, dass die mindestens eine Maskenschicht über dem zweiten aktiven Gebiet freiliegt; Entfernen der mindestens einen Maskenschicht von dem zweiten aktiven Gebiet selektiv zu der schützenden Materialschicht in Anwesenheit der Ätzmaske; Entfernen der schützenden Materialschicht nach dem Entfernen der mindestens einen Maskenschicht; Bilden einer Halbleiterlegierung auf dem zweiten aktiven Gebiet durch Verwenden einer oder mehrerer der mindestens einen Maskenschicht, die über dem ersten aktiven Gebiet ausgebildet ist, als eine Abscheidemaske; und Bilden eines ersten Transistors in und über dem ersten aktiven Gebiet und eines zweiten Transistors in...