| 发明名称 | 在衬底上生长异变缓冲层的方法 | ||
| 摘要 | 一种在衬底上生长异变缓冲层的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上生长异变缓冲层；步骤4：在异变缓冲层生长外延层，形成基片；步骤5：对基片进行降温处理，完成在衬底上生长异变缓冲层的制备。 | ||
| 申请公布号 | CN102194671B | 申请公布日期 | 2012.08.15 |
| 申请号 | CN201110121899.9 | 申请日期 | 2011.05.11 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 贺继方;尚向军;倪海桥;王海莉;李密峰;朱岩;王莉娟;喻颖;贺正宏;徐应强;牛智川 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种在衬底上生长异变缓冲层的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上生长异变缓冲层，该异变缓冲层为多周期结构，每一周期包括：一InGaAs层和在其上生长的薄层，该异变缓冲层各周期结构中的InGaAs层的铟组份从下至上递增，递增幅度为0.02‑0.05，每一周期的生长温度为500‑350℃，各周期的生长温度随着铟组份的增加而逐渐降低0‑15℃；步骤4：在异变缓冲层生长外延层，形成基片；步骤5：对基片进行降温处理，完成在衬底上生长异变缓冲层的制备。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||