| 发明名称 | 一种MOSFET功放管的成型结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种MOSFET功放管的成型结构，包括功放管和若干条功放管引脚，所述功放管引脚均同时与功放管连接。该功放管的成型结构形式简单，安装方便，能够进行批量生产，实现引脚面位置与安装面之间的高度依据实际结构布局成型成特定值，且此结构形式能消除引脚成型的应力，满足安装要求。 | ||
| 申请公布号 | CN202384344U | 申请公布日期 | 2012.08.15 |
| 申请号 | CN201120552590.0 | 申请日期 | 2011.12.27 |
| 申请人 | 成都芯通科技股份有限公司 | 发明人 | 杨明宏 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人 | 廖曾;梁田 |
| 主权项 | 一种MOSFET功放管的成型结构，其特征在于：包括功放管（1）和若干条功放管引脚（2），所述功放管引脚（2）均同时与功放管（1）连接。 | ||
| 地址 | 610000 四川省成都市高新区天府大道高新孵化园信息安全基地3、4楼 | ||