| 摘要 |
本发明系提供一种具有半导体基板(102)之陡接面装置(100)的形成方法(1100)。在半导体基板(102)上形成(1104)闸极介电部(104)，且在闸极介电部(104)上形成(1106)闸极(106)。在邻近于闸极(106)及闸极介电部(104)之半导体基板(102)上形成侧壁间隙壁(200)。藉由在邻近于侧壁间隙壁(200)之半导体基板(102)上选择性磊晶成长形成(1110)加厚层(300)。在加厚层(300)之至少一部份中形成(1112)隆起之源极/汲极掺杂物植入区域(402,404)。在隆起之源极/汲极掺杂物植入区域(402,404)之至少一部份中形成(1114)矽化物层(602,604)以在矽化物层(602,604)之下形成源极/汲极区域(606,608)，该源极/汲极富含来自矽化物层(602,604)之掺杂物。在矽化物层(602,604)上沈积介电层(900)，然后在介电层(900)中形成至矽化物层(602,604)之接触部(1002,1004)。 |
