发明名称 半导体记忆体
摘要 关于本发明之例之半导体记忆体具备:记忆胞阵列区,其系具有记忆胞(memory cell);字元线接触区,其系邻接于记忆胞阵列区;字元线,其系跨越记忆胞阵列区及字元线接触区而配置;接触孔,其系设置于字元线接触区内之字元线上;及字元线驱动器,其系经由接触孔连接于字元线。而且,接触孔之尺寸大于字元线之宽度,接触孔之最低部分存在于低于字元线之上面且高于其下面之位置。
申请公布号 TWI370541 申请公布日期 2012.08.11
申请号 TW097122545 申请日期 2008.06.17
申请人 东芝股份有限公司 日本 发明人 加藤陶子;野口充宏
分类号 H01L27/115;H01L21/768;G11C8/14 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 日本