发明名称 相位差膜
摘要 本发明的目的在于提供一种正面对比度优异的相位差膜。为了达到该目的,本发明提供一种相位差膜,该相位差膜的特征在于,在散射光强度的测定中,将该膜设置在试样台上并使该膜的慢轴呈水平状态的情况下以及将该膜设置在试样台上并使该膜的慢轴呈垂直状态的情况下,其散射光强度积分值之差为0.1以下,所述散射光强度的测定采用光强分布测定仪测定入射光90°下的膜的散射光分布的散射光强度,该测定中,对与光源成95°~165°的位置处的散射光强度进行检测。
申请公布号 CN101939673B 申请公布日期 2012.08.08
申请号 CN200980104665.4 申请日期 2009.01.19
申请人 柯尼卡美能达精密光学株式会社 发明人 高木隆裕
分类号 G02B5/30(2006.01)I;C08J5/18(2006.01)I 主分类号 G02B5/30(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 张涛
主权项 一种相位差膜,其特征在于,在散射光强度的测定中,将该膜设置在试样台上并使该膜的慢轴呈水平状态的情况下以及将该膜设置在试样台上并使该膜的慢轴呈垂直状态的情况下,其散射光强度积分值之差为0.1以下,所述散射光强度的测定采用光强分布测定仪测定入射光90°下的膜的散射光分布的散射光强度,该测定中,对与光源成95°~165°的位置处的散射光强度进行检测,所述相位差膜含有下述化合物中的至少一种,所述化合物是下述通式(I)所示的芳香族末端的聚酯类化合物、以及具有1~12个吡喃糖结构或呋喃糖结构中的至少1种且其结构中全部或部分OH基经过了酯化的酯化合物,通式(I)B‑(G‑A)n‑G‑B式中,B表示芳基羧酸残基,G表示碳原子数2~12的亚烷基二醇残基、碳原子数6~12的芳基二醇残基或碳原子数4~12的氧代亚烷基二醇残基,A表示碳原子数4~12的亚烷基二羧酸残基或碳原子数6~12的芳基二羧酸残基,且n代表1以上的整数。
地址 日本东京都