多晶硅生产装置

摘要

本实用新型涉及太阳能光伏领域，公开了一种多晶硅生产装置。该装置包含第一工艺管道、第二工艺管道、多晶硅反应炉、包含硅芯电极的硅棒；第一工艺管道和第二工艺管道分别接至多晶硅反应炉，包含硅芯电极的硅棒位于多晶硅反应炉内；第一工艺管道将SiCl4和H2按一定摩尔配比输送至多晶硅反应炉，得到Si和HCl，得到的Si沉积在硅芯电极上，直至硅棒的直径达到预设门限Do，此时，第二工艺管道将SiHCl3和H2按一定摩尔配比输送至多晶硅反应炉，得到Si、HCl和SiCl4，得到的Si继续沉积在所述硅芯电极上。从而降低了多晶硅生产原料成本，同时解决了多晶硅生产副产物SiCl4处理费用高，难度大等问题。

主权项

一种多晶硅生产装置，其特征在于，包含：第一工艺管道、第二工艺管道、多晶硅反应炉、包含硅芯电极的硅棒；所述第一工艺管道和所述第二工艺管道分别接至所述多晶硅反应炉，所述包含硅芯电极的硅棒位于所述多晶硅反应炉内；所述第一工艺管道将SiCl4和H2按预设的第一摩尔配比比例输送至所述多晶硅反应炉内进行反应，得到Si和HCl，得到的所述Si沉积在硅芯电极上，直至所述硅芯电极上的Si沉积至硅棒的直径达到预设门限Do，其中，SiCl4和H2的反应所需的温度由启动加热后的所述硅芯电极提供；所述第二工艺管道在所述硅棒的直径达到预设门限Do时，将SiHCl3和H2按预设的第二摩尔配比比例输送至所述多晶硅反应炉内，利用所述硅芯电极的残余温度进行反应，得到Si、HCl和SiCl4，由SiHCl3和H2反应得到的Si继续沉积在所述硅芯电极上。