一种制造与测试半导体晶圆的方法

摘要

本发明系提供一种制造与测试半导体晶圆的方法，其系包括：形成一钛钨合金层在保护层上与复数接垫上，形成材质为金的一种子层在钛钨合金层上，形成光阻层在种子层上，形成复数金属层在光阻层内之复数开口所暴露出的种子层上，去除光阻层以及去除未在这些金属层下的种子层，接着利用含有双氧水的蚀刻液蚀刻未在这些金属层下方之钛钨合金层，并在蚀刻期间施加超音波到蚀刻液中，或是利用温度介于35至50℃之间且含有双氧水的蚀刻液蚀刻未在这些金属层下方之钛钨合金层，再来利用一探针卡的复数探针尖端接触部份金属层，并在重复探针尖端接触部份金属层的步骤次数达到100次以上之后，才清洁这些探针尖端，而在清洁这些探针尖端之后，继续利用探针尖端接触部份金属层。