发明名称 OTP存储数据的写入与读取电路
摘要 本发明公开一种OTP存储数据的写入与读取电路,包括第一至第十一场效应管,第一至第四非门。OTP写入数据时,数据从数据输入端Data_in输入,当写入使能信号Prog_en有效时,如果数据为1,第一、第二场效应管导通,OTP单元数据的输入输出端In_out输出高电平VDD,当数据为0时,第三、第四场效应管导通,OTP单元数据的输入输出端In_out输出低电平0;OTP读出数据时,当读使能信号Read_en有效时,第五场效应管导通,第七、第九场效应管截止,OTP单元存储的值为0时,第六、第十一场效应管导通,将0传输给数据输出端Data_out,OTP单元存储的值为1时,In_out端为悬空态,通过第十场效应管的上拉作用,便可将数据输出端Data_out拉高。本发明结构简洁,又能保证OTP工作寿命。
申请公布号 CN102623065A 申请公布日期 2012.08.01
申请号 CN201210008251.5 申请日期 2012.01.12
申请人 苏州华芯微电子股份有限公司 发明人 韩红娟;杨卫;江猛
分类号 G11C17/18(2006.01)I 主分类号 G11C17/18(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种OTP存储数据的写入与读取电路,其特征在于,所述OTP存储数据的写入与读取电路包括第一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、十一场效应管以及第一、二、三、四非门;所述第五场效应管源极接VDD,栅极与第七、第九场效应管栅极连接后再接Read_en信号,漏极与第六场效应管源极连接,第六场效应管漏极与第十一场效应管栅极、第七、第八场效应管漏极连接成一节点,第七、第八效应管源极连接后接地,第六场效应管栅极与第八场效应管栅极、第十一场效应管源极、第二、第三、第九场效应管漏极连接后再接OTP单元数据的输入输出端,第九场效应管源极接地,第十一场效应管漏极与第十场效应管漏极、第三非门输入端连接,第十场效应管源极接VDD,第十场效应管栅极接地,第三非门输出端与第四非门输入端连接,第四非门输出端为读取时数据读出端(Data_out),第二场效应管源极与第一场效应管漏极连接,第二场效应管栅极与第一非门输出端连接,第一场效应管源极接VDD,第一场效应管栅极与第四场效应管栅极、第二非门输出端连接,第二非门输入端为烧写时数据写入端(Data_in),第三场效应管源极与第四场效应管漏极连接,第三场效应管栅极与第一非门输入端连接后再接Prog_en信号,第四场效应管源极接地。
地址 215011 江苏省苏州市向阳路198号