| 发明名称 | 碲镉汞材料富汞制备技术所需高压保护性气体的控制系统 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种碲镉汞材料富汞制备技术所需的高压保护性气体控制系统，其特征是：热处理系统内的气体压力由进气压力控制器，同时在系统的出气气路中在接入一个出气压力控制器，并跟着接入一个气体质量流量计，这样，当系统的气体压力小于设定值时，进气压力控制器自动给系统增压，直至平衡，而当系统加热或温度波动导致系统内压力超过设定值时，进气压力控制器自动关闭，气体将通过出气压力控制器和质量流量计排出，压力随之下降。该控制方法的优点是，既保持了半导体材料热处理所需要的气体流动性，同时又能保持了系统压力的稳定性和安全性，满足了碲镉汞材料富汞制备技术对保护性气体控制的技术要求。 | ||
| 申请公布号 | CN101481823B | 申请公布日期 | 2012.08.01 |
| 申请号 | CN200810204569.4 | 申请日期 | 2008.12.15 |
| 申请人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明人 | 张传杰;杨建荣;魏彦锋;徐庆庆 |
| 分类号 | C30B29/48(2006.01)I;C30B27/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 郭英 |
| 主权项 | 一种碲镉汞材料富汞制备技术所需高压保护性气体的控制系统，它由进气压力控制器(1)、出气压力控制器(2)、质量流量计(3)和安全阀门(4)组成，其特征在于：在材料制备系统(5)的排气管路上安装出气压力控制器(2)，质量流量计(3)串接其后，安全阀门(4)并行连接在所述的压力控制器(2)与质量流量计(3)的串接管路上；压力控制系统中的进气压力控制器(1)和出气压力控制器(2)采用VCR方式与系统连接，出气压力控制器(2)与质量流量计(3)相互之间的连接也采用VCR方式。 | ||
| 地址 | 200083 上海市玉田路500号 | ||