| 主权项 |
一种连续式半导体蚀刻设备，其特征在于：一第一制程槽(10)，所述第一制程槽(10)包含：至少一注液管(101)、至少一第一泄流孔(102)及第一节流闸(103)，所述各注液管(101)用以填注蚀刻液至所述第一制程槽(10)，且所述第一节流闸(103)对应所述各第一泄流孔(102)设置；一第一传输装置(11)，其包括有多个第一滚轮(111)，所述各第一滚轮(111)架设于所述第一制程槽(10)，而可传送至少一硅晶圆(100)通过所述第一制程槽(10)，并使所述硅晶圆(100)接触所述第一制程槽(10)中的蚀刻液；一第二制程槽(20)，所述第二制程槽(20)与所述第一制程槽(10)邻近设置，包含：至少一注液管(201)、至少一第二泄流孔(202)及第二节流闸(203)，所述各注液管(201)以填注蚀刻液至所述第二制程槽(20)，且所述第二节流闸(203)对应所述各第二泄流孔(202)设置，藉此调节所述第二制程槽(20)的蚀刻液的泄流量；及一第二传输装置(21)，其包括有多个第二滚轮(211)，各第二滚轮(211)架设于所述第二制程槽(20)，藉此，所述等第二滚轮(211)可接收已经于所述第一制程槽(10)处理的硅晶圆(100)，再将所述等硅晶圆(100)传送通过所述第二制程槽(20)，并使所述硅晶圆接触所述第二制程槽中的蚀刻液以再次处理所述等硅晶圆(100)。 |
