发明名称 一种改善太阳能电池扩散薄膜电阻片内均匀性的方法
摘要 本发明涉及一种改善太阳能电池扩散薄膜电阻片内均匀性的方法,包括下列步骤:i、将经扩散炉管扩散后得到的硅片进行扩散薄膜电阻分布测试。ii、根据扩散薄膜电阻分布测试,得到硅片的扩散薄膜分布测试数据。iii、根据硅片的扩散薄膜分布测试数据,调节石英舟的支撑脚高度h或调节石英舟的卡槽位置。本发明通过调节石英舟的支撑脚高度和石英舟的卡槽位置,来调节石英舟上硅片的位置,使硅片位于扩散炉管的热量均衡点处,硅片上、下、左、右受热均匀,制作出的太阳能电池的扩散薄膜电阻片内均匀性较好,其太阳能电池的转换效率较高。
申请公布号 CN101969083B 申请公布日期 2012.07.25
申请号 CN201010152171.8 申请日期 2010.04.20
申请人 常州天合光能有限公司 发明人 王庆钱
分类号 H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 常州市维益专利事务所 32211 代理人 王凌霄
主权项 一种改善太阳能电池扩散薄膜电阻片内均匀性的方法,所述的太阳能电池具有硅片,硅片通过石英舟内的卡槽放置在石英舟上,放有硅片的石英舟放置在扩散炉管内,扩散炉管加热对硅片进行扩散,其特征在于:所述的改善太阳能电池扩散薄膜电阻片内均匀性的方法包括下列步骤:i、将经扩散炉管扩散后得到的硅片进行扩散薄膜电阻分布测试;ii、根据扩散薄膜电阻分布测试,得到硅片的扩散薄膜分布测试数据;iii、根据硅片的扩散薄膜分布测试数据,调节石英舟的支撑脚高度h或调节石英舟的卡槽位置;所述的硅片的扩散薄膜分布测试数据为:硅片上方测试点的扩散薄膜电阻比硅片下方测试点的扩散薄膜电阻高;所述的调节石英舟支撑脚高度的方法为:增高石英舟支撑脚的高度h,使石英舟上硅片的上方更靠近扩散炉管的炉壁;或者,所述的硅片的扩散薄膜分布测试数据为:硅片上方测试点的扩散薄膜电阻比硅片下方测试点的扩散薄膜电阻低;所述的调节石英舟支撑脚高度的方法为:降低石英舟支撑脚的高度h,使石英舟上硅片的上方更远离扩散炉管的炉壁;或者,所述的硅片的扩散薄膜分布测试数据为:硅片右方测试点的扩散薄膜电阻比硅片左方测试点的扩散薄膜电阻高;所述的调节石英舟的卡槽位置的方法为:石英舟的卡槽位置向硅片右方移动,使石英舟上硅片的右侧更靠近扩散炉管的炉壁;或者,所述的硅片的扩散薄膜分布测试数据为:硅片右方测试点的扩散薄膜电阻比硅片左方测试点的扩散薄膜电阻低;所述的调节石英舟的卡槽位置的方法为:石英舟的卡槽位置向硅片左方移动,使石英舟上硅片的 右侧更远离扩散炉管的炉壁。
地址 213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号
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