发明名称 |
非易失闪存擦除异常存储块修复方法和装置 |
摘要 |
本发明实施例公开了一种非易失闪存擦除异常存储块修复方法,还提供了相应的装置。本发明通过在读取NAND Flash中的数据时,依次对存储块中需要读取的数据所在的页面的比特数据进行扫描,然后判断该页面是否为擦除异常页面,如果为擦除异常页面,则将该页面中比特数据中不为1的比特置1,然后对该存储块进行重新擦除操作;确保在NAND Flash擦除失败时,甚至在遇到突然断电的情况下,也不会有异常数据出现,系统依然能够正常工作,从而提升了系统的可靠性。 |
申请公布号 |
CN102609334A |
申请公布日期 |
2012.07.25 |
申请号 |
CN201210004631.1 |
申请日期 |
2012.01.09 |
申请人 |
晨星软件研发(深圳)有限公司;晨星半导体股份有限公司 |
发明人 |
周涛 |
分类号 |
G06F11/14(2006.01)I |
主分类号 |
G06F11/14(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 |
代理人 |
何青瓦 |
主权项 |
一种非易失闪存擦除异常存储块修复方法,其特征在于,包括:在读取非易失闪存中的数据时,扫描待读取的存储块中需要读取的数据所在页面的比特数据;判断所述页面是否为擦除异常页面;如果所述页面为擦除异常页面,则将所述页面中不为1的比特置1;以及擦除所述待读取的存储块。 |
地址 |
518000 广东省深圳市南山区高新南一道中国科技开发院中科研发园三号楼塔楼4—5楼 |