发明名称 |
一种光学传感器及其内部的成像器件 |
摘要 |
本发明涉及一种光学传感器及其内部的成像器件,属于光学传感器领域。所述成像器件由多个位于成像阵列上的成像结构构成,成像结构包括一个参考单元和至少一个成像单元,参考单元和成像单元的结构相同,参考单元和成像单元相邻排列且位于成像阵列中的同一列或者同一行,成像结构的填充因子大于或者等于50%。本发明光学传感器内部的成像器件通过略微增加成像器件的面积从而消除了共模噪声对读取结果的影响;由于同一组器件中成像单元与参考单元相隔较近,工艺偏差对它们的影响大致相同,而读取结果采用它们的差模信息,因此可以消除工艺偏差对读取结果的影响。 |
申请公布号 |
CN102610620A |
申请公布日期 |
2012.07.25 |
申请号 |
CN201110022327.5 |
申请日期 |
2011.01.20 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
冀永辉;丁川;王凤虎;余兆安;王琴;龙世兵;刘明 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京市德权律师事务所 11302 |
代理人 |
王建国 |
主权项 |
一种光学传感器内部的成像器件,其特征在于,所述成像器件由多个位于成像阵列上的成像结构构成,所述成像结构包括一个参考单元和至少一个成像单元,所述参考单元和成像单元的结构相同,所述参考单元用于提供成像器件初始阈值电压的准确值,所述参考单元和成像单元相邻排列且位于成像阵列中的同一列或者同一行,所述成像结构的填充因子大于或者等于50%。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 |