基于MAM电容的分布式MEMS移相器

摘要

本发明公开了一种基于MAM电容的分布式MEMS移相器，该MEMS移相器包括有基底、中心导体、氮化硅膜层、MEMS金属桥、A金属片、B金属片、A接地板和B接地板。A金属片与B金属片的结构相同。A接地板与B接地板的结构相同。本发明利用等效电路模式构形得到机械结构，该机械结构是在基底上采用敷铜工艺制作出一定长度、宽度、厚度为1μm～3μm的结构体，本发明的MEMS移相器对MEMS金属桥下拉高度的调节精度要求不高，仅通过对金属片的结构优化即得到一种相移精度容易控制，且机械性能稳定的移相器。

主权项

一种基于MAM电容的分布式MEMS移相器，其特征在于：该MEMS移相器包括有基底(1)、中心导体(2)、氮化硅膜层(3)、MEMS金属桥(4)、A金属片(5)、B金属片(6)、A接地板(7)和B接地板(8)；A金属片(5)与B金属片(6)的结构相同；A接地板(7)与B接地板(8)的结构相同；A金属片(5)、B金属片(6)、A接地板(7)和B接地板(8)是以中心导体(2)为对称设置的；中心导体(2)、A金属片(5)、B金属片(6)、A接地板(7)和B接地板(8)采用敷铜工艺制作在基底(1)的上面板(15)上；基底(1)的上面板(15)的中心设有中心导体(2)；基底(1)的上面板(15)的两侧设有A接地板(7)、B接地板(8)；A接地板(7)与B接地板(8)之间设置有MEMS金属桥(4)；中心导体(2)与A接地板(7)之间设置有A金属片(5)；中心导体(2)与B接地板(8)之间设置有B金属片(6)；A金属片(5)的一侧与A接地板(7)之间有一A槽道(11)；A金属片(5)的另一侧与中心导体(2)的一侧之间有一B槽道(12)；B金属片(6)的一侧与B接地板(8)之间有一D槽道(14)；B金属片(6)的另一侧与中心导体(2)的另一侧之间有一C槽道(13)；氮化硅膜层(3)喷涂在中心导体(2)的上方，且喷涂宽度与MEMS金属桥(4)的宽度相同。